
ترانزیستور 20N60
عایق
دارد
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) عنصری نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنالهای الکترونیکی و الکترمکانیکی در برد ها استفاده می شود و به شدت مقرون به صرفه تر از روش های دیگر است.
این ترانزیستور دارای چهار پایانهی منبع (S)، دروازه (G)، تخلیه (D) و بدنه (B) می باشد. ماسفت های قدرتی (power MOSFET) برای کنترل جریان و یا توان بالا در مدارها استفاده می شوند
نام محصول: 20N60
نوع ترانزیستور: ماسفت
نوع کانال کنترل: N -Channel
Pdⓘ - حداکثر اتلاف توان: 417 وات
|Vds|ⓘ - حداکثر ولتاژ منبع تخلیه: 600 ولت
|Vgs|ⓘ - حداکثر ولتاژ گیت منبع: 30 ولت
|Vgs(th)|ⓘ - حداکثر ولتاژ گیت آستانه: 4.5 ولت
|Id|ⓘ - حداکثر جریان تخلیه: 20 آمپر
Tjⓘ - حداکثر دمای اتصال: 150 درجه سانتیگراد
Qgⓘ - شارژ کل گیت: 61 nC
trⓘ - زمان افزایش: 125 نانو ثانیه
Cossⓘ - ظرفیت خروجی: 273 pF
Rdsⓘ - حداکثر مقاومت در حالت منبع تخلیه: 0.37 اهم
پکیج: TO-220